本文转自【中国半导体论坛】

苹果着急合作、技术领先于三星，长江存储完成了“弯道超车”！

12月2日消息，长江存储在2022年闪存峰会上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。

据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。

三星、美光等企业，在存储芯片领域都有着良好的技术底蕴，原本它们还有着十足的底气，以为能够轻易“拿捏”中国市场，但没曾想芯片限制成为了一道“枷锁”，限制了对中企的高端芯片出口后，它们才明白已经高度依赖于中国市场的消耗了。

而芯片规则则成为了中企的“转折点”，无法获取海外先进的芯片，但目前科技发展又不能不用，只能把所有精力放在了自主研发上，而长江存储就顺势而为，成功在NAND闪存领域闯出了一片天，在8月份的2022年闪存峰会(FMS)上，正式发布了三维闪存产品X3-9070。

近日长江存储传来了好消息，X3-9070已经开始量产了，这个基于晶栈（Xtacking）3.0 技术的第四代TLC三维闪存产品，成为了首个突破到200+层3D NAND闪存的解决方案，在技术上成功实现了对于美光、三星的赶超。

而苹果一直致力于分散产能，把NAND闪存芯片订单集中在韩企身上，不利于后续的议价，因此在长江存储取得技术突破之后，一直有意展开更为深层次的合作。